XIII Международная конференция по импульсным лазерам и применениям лазеров AMPL-2017

10-15 сентября 2017 года, Томск

Программы по темам

Секция H "Разряды для лазеров и некогерентных источников излучения"

• 12.09.2017
  17:30
  Стендовые доклады.
  Место проведения: Конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: к.ф.-м.н. Михаил Владимирович Ерофеев.
• 1
  Д.В. Григорьев, А.В. Войцеховский (Томский государственный университет, Томск, Россия), В.Ф. Тарасенко, М.А. Шулепов, В.С. Рипенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), С.А. Дворецкий (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия), М.В. Ерофеев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия)
  Модификация электрофизических параметров эпитаксиальных гетероструктур HgCdTe при воздействии импульсного наносекундного разряда в газовой среде атмосферного давления
  Докладчик: Денис Валерьевич Григорьев
• 2
  Ю.С. Акишев (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия; Ядерный университет МИФИ, Москва, Россия), А.А. Балакирев, В.Б. Каральник, М.А. Медведев, А.В. Петряков, Н.И. Трушкин, А.Г. Шафиков (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия)
  Сопоставление поперечных размеров светового пятна и модифицированной поверхности на подложке, обрабатываемой плазменной струей
  Докладчик: Александр Петряков
• 3
  Ю.С. Акишев (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия; Ядерный университет МИФИ, Москва, Россия), А.А. Балакирев, В.Б. Каральник, М.А. Медведев, А.В. Петряков, Н.И. Трушкин, А.Г. Шафиков (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия)
  Влияние скорости движения подложки на форму пятна от плазменной струи, ударяющей в подложку.
  Докладчик: Юрий Семенович Акишев
• 4
  M.В. Диденко (Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), Э.A. Соснин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), В.А. Панарин, В.С. Скакун, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Д.П. Лиу, Я. Сонг (Национальный университет Далян, Далян, Китай)
  Образование окислов азота в плазме импульсно-периодического разряда  в режиме с апокампом в воздухе
  Докладчик: Мария Валерьевна Диденко
• 17:30
  А.Р. Сорокин (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия)
  Быстрые тяжёлые частицы тлеющего разряда 
  Докладчик: Александр Разумникович Сорокин
• 6
  В.С. Рипенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), М.И. Ломаев, А.О. Коковин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия)
  Определение энерговклада в плазму высоковольтного наносекундного разряда с субнаносекундной длительностью фронта импульса напряжения
  Докладчик: Василий Сергеевич Рипенко
• 7
  Э.Н. Абдуллин, Г.Ф. Басов, С. Шершнев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
  Генератор Маркса на основе длинных линий для электронных ускорителей с выводом пучка в газ  
  Докладчик: Эдуард Нуруллович Абдуллин
• 14.09.2017
  09:30
  Устные доклады.
  Место проведения: Конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: д.ф.-м.н., проф. Виктор Федотович Тарасенко.
• 09:30
  Н.Ю. Бабаева, Г.В. Найдис (Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия)
  Моделирование стримерных разрядов
  Докладчик: Георгий Вениаминович Найдис
• 09:50
  A.A. Тренькин, В.И. Карелин, Ю.М. Шибитов, О.М. Блинова (Российский федеральный ядерный центр - ВНИИ экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), Саров, Россия)
  Микроструктура областей воздействия искрового разряда на поверхности плоских стального и медного электродов в воздухе в промежутке «острие–плоскость»
  Докладчик: Алексей Александрович Тренькин
• 10:10
  П.А. Бохан, П.П. Гугин, Дм.Э. Закревский, М.А. Лаврухин (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия)
  Эптрон - электронно-пучковый с торцевым разрядом обостритель напряжения
  Докладчик: Павел Павлович Гугин
• 10:30
  В.Ф. Тарасенко, А.Г. Бураченко, Е.Х. Бакшт (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
  Субнаносекундный пробой в азоте, инициируемый убегающими электронами при давлениях до 1.2 МПа
  Докладчик: Виктор Федотович Тарасенко
• 14.09.2017
  11:05
  Устные доклады.
  Место проведения: Конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: Георгий Вениаминович Найдис.
• 11:05
  Ю.С. Акишев (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия; Ядерный университет МИФИ, Москва, Россия), А.А. Балакирев (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия), В.Б. Каральник (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия), М.А. Медведев (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия), А.В. Петряков (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия), Н.И. Трушкин (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия), А.Г. Шафиков (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия)
  Спектральные характеристики катодной области перенапряженного разряда в дейтерии, формирующего сильноточный пучок убегающих электронов.
  Докладчик: Александр Петряков
• 11:20
  А.Н. Калиниченко (Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия), Э.А. Соснин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия), С.М. Авдеев (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Н.П. Калиниченко (Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия), К.А. Истомин
  Способ выявления дефектов сплошности поверхности материалов и изделий
  Докладчик: Алексей Николаевич Калиниченко
• 11:35
  С.В. Автаева (Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия)
  Влияние формы напряжения источника питания  на характеристики барьерного разряда в смесях Xe-Cl₂
  Докладчик: Светлана Владимировна Автаева
• 11:50
  В.В. Андреев (Чувашский государственный университет, Чебоксары, Россия)
  Результаты исследования в воздухе при атмосферном давлении механизма формирования микроразрядов в ячейке диэлектрического барьерного разряда с вращающимся диэлектрическим диском
  Докладчик: Всеволод Владимирович Андреев
• 12:05
  Ю.С. Акишев (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия; Ядерный университет МИФИ, Москва, Россия), А.А. Балакирев, В.Б. Каральник, М.А. Медведев, А.В. Петряков, Н.И. Трушкин, А.Г. Шафиков (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия)
  Распространение отрицательного стримера по поверхности жидкого пузыря.
  Докладчик: Владимир Борисович Каральник
• 12:20
  Ю.С. Акишев (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия; Ядерный университет МИФИ, Москва, Россия), А.А. Балакирев, В.Б. Каральник, М.А. Медведев, А.В. Петряков, Н.И. Трушкин, А.Г. Шафиков (Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ), Троицк, Россия)
  Эволюция поперечной структуры сильноточного пучка убегающих электронов вдоль его распространения в водороде и дейтерии при низком давлении
  Докладчик: Николай Иванович Трушкин
• 14.09.2017
  14:00
  Устные доклады.
  Место проведения: Конференц-зал ИОА СО РАН.
  Председатель: д. ф.-м. н. Алексей Александрович Тренькин.
• 14:00
  М.В. Ерофеев, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия), В.С. Рипенко, М.А. Шулепов (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)
  Обработка поверхностей металлов плазмой наносекундного диффузного разряда при атмосферном давлении
  Докладчик: Михаил Владимирович Ерофеев
• 14:15
  В.А. Панарин, В.С. Скакун, Д.С. Печеницин (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия), Э.А. Соснин, В.Ф. Тарасенко (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия; Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия)
  Апокамп – новый источник волн ионизации в потенциальном импульсно-периодическом разряде
  Докладчик: Виктор Александрович Панарин
• 14:30
  А.Р. Сорокин (Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия)
  Эмиссия электронов с катода в разрядах, генерирующих  электронные пучки
  Докладчик: Александр Разумникович Сорокин
• 14:45
  А.Э. Медведев (Институт лазерной физики CО РАН, Новосибирск, Россия)
  Амбиполярный перенос в структуре газоразрядной плазмы  
  Докладчик: Алексей Эдуардович Медведев